2 9 . C a m S e m p o z y u m u / 2 9 . G l a s s S y mp o s i u m - 0 7 K a s ı m 2 0 1 4 / 0 7 N o v e m b e r 2 0 1 4
Kadir Has Üniversitesi Cibali Kampüsü – Balat / İstanbul (D Blok Büyük Salon: 3. Oturum 15:10 -15:30)
ÇİFT KATMAN MOLİBDENYUM İNCE FİLMLERİN ARKA
KONTAK OLARAK İNCE FİLM GÜNEŞ PİLİ
UYGULAMALARINDA KULLANIMI
Metin Kurt¹, Hasan Köseoğlu², Gülnur Aygün¹, Mutlu Devran Yaman³,
Prof. Dr. Lütfi Özyüzer³
¹İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Fizik Bölümü
²İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Malzeme Bilimi ve Mühendisliği
³İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü Fizik Bölümü /Teknoma Teknolojik Malzemeler Ltd.,
[email protected] , [email protected] , [email protected] , [email protected] ,
[email protected]
Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi Fizik Bölümünden 2011 yılında
bölüm ikincisi olarak mezun olup aynı sene İzmir Yüksek Teknoloji
Enstitüsü Fizik Bölümü yüksek lisans programına devam etmektedir.
Buradaki çalışmaları hem güneş pilleri hem de terahertz görüntüleme
sistemleri üzerinedir.
ÖZET
Molibdenyum ince filmlerin özelliklerinin anlaşılmasıyla beraber, uygulama alanları
günden güne artmaktadır. Molibdenyum, düşük dirence, yüksek erime noktası, yüksek
sıcaklıkta film büyütmeleri esnasında istikrarlı kalması, kimyasal bakımdan kolay
şekillendirilebilmesi ve emici yüzey ile lamel arasındaki mükemmel tutunmayı sağlaması
gibi özelliklerinden dolayı güneş pili hücrelerinde potansiyel arka kontaklardan birisidir.
[1]. CuInSe2 (CIS), Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) ve CdTe gibi ince film güneş hücreleri ticari
olarak kullanımda olanlar için Mo tercih edilmektedir. Cu2ZnSnS4 (CZTS) ince film
güneş pilleri ise yeni ve doğada çokça bulunan materyaller kullanılarak elde edilen bir
film olduğu için yüksek potansiyele sahiptir [2]. Bütün bunlara ek olarak,
molibdenyumun düşük direnci ve yüksek erime noktası, GaAs tabanlı metal kapı alan etki
transistörlerde (MESFETs), silikon tabanlı metal-oksit yarıiletken cihazlarda (MOS) [3,
4] ve ince film transistor sıvı kristal ekranlarda (TFT-LCD) kullanımına olanak
sağlamaktadır. Bu çalışmada, çift katman Mo ince film, DC mıknatıssal saçtırma cihazı
kullanılarak kaplama parametreleri optimize edilmiştir [5]. İlk olarak tek katman yapılan
filmlerde, tutunmanın iyi olmasıyla beraber çok yüksek direnç bulunmaktaydı. Daha
sonra ortam basıncını değiştirerek iki katmanlı yapılan ince filmlerde hem iyi tutunma
hem de güneş pili uygulamaları için elverişli olan düşük direnç elde edildi. Son olarak
yapısal ve elektriksel analizleri ile beraber özdirenç, yüzey direnci, kalınlık ve tutunma
çalışmaları yapıldı. Cam üzerine çift katman molibdenyum kaplamalarına alternatif
olarak poliimidler üzerinde de kaplama çalışmaları yapılmaktadır. Aynı şekilde poliimid
Bildiri Özetleri / Abstracts •
Araştırma ve Teknolojik Geliştirme Başkanlığı / Research and Technological Development Presidency - 1
2 9 . C a m S e m p o z y u m u / 2 9 . G l a s s S y mp o s i u m - 0 7 K a s ı m 2 0 1 4 / 0 7 N o v e m b e r 2 0 1 4
Kadir Has Üniversitesi Cibali Kampüsü – Balat / İstanbul (D Blok Büyük Salon: 3. Oturum 15:10 -15:30)
üzerindeki molibdenyumların gerekli karakterizasyon testleriyle ilgili detaylar
verilecektir.
*Bu çalışma TÜBİTAK tarafından 112T068 proje numarası ile desteklenmiştir.
Kaynaklar
[1] S. J. Kwon et al. Applied Surface Science 257 (2011) 9682.
[2] Sebnem Yazici et al. Submitted to Thin Solid Films
[3] J.S. Lin et al. Thin Solid Films 153 (1987) 359–368.
[4] T. Yamaghuchi et al. Japanese Journal of Applied Physics V30 (9A) (1991) 2069–2073.
[5] O. Tuna et al. J. Phys. D: Appl. Phys. 43 (2010) 055402.
Anahtar Sözcükler: İnce Film Güneş Hücreleri, Arka Kontak, Molibdenyum, CZTS
Bildiri Özetleri / Abstracts •
Araştırma ve Teknolojik Geliştirme Başkanlığı / Research and Technological Development Presidency - 2
Download

Conference Full Paper template