Öğrenci No:
Ad-Soyad:
ELE 231 – Elektronik I
Ödev #4
Öğretim Üyesi
Ali Toker
Teslim Tarihi: 9 Aralık 2014
Metin Yazgı
İmza:
Yedi adet soru kağıdında toplam dört soru bulunmaktadır. Çözümlerinizi soruların altındaki
boş alanlara yapınız. Ayrıca kağıt kullanmayınız.
Soru 1
+10V
100 kΩ
9.1kΩ
V1
5.1kΩ
V2
Q1
V5
Q2
V4
V3
9.1kΩ
4.3kΩ
-10V
Şekil.1
Şekil.1’de gösterilen devrede V1, V2, V3, V4 ve V5 gerilimlerini β nın aşağıdaki değerleri için
bulunuz.
|VBE|=0,6V
a) β =∞
b) β =100
c) β =10
Soru 2:
10M
ID
RD
RG2
C1
+ 10M
vi
RG1
+VDD=5V
C2
1,5 k
+
vo
RS
CS
1k
Şekil.2
2
RY
10 k
a) Şekil.2’deki devrede ID=1mA akması için doymalı kanal oluşturmalı NMOS’un (W/L)
oranını hesaplayınız.
b) Bu durumda transistor hangi çalışma rejiminde çalışmaktadır? Neden?
c) MOSFET’i doymasız bölge sınırına getiren RD değerini hesaplayınız.
d) RD=1.5kΩ ve RS =0.5kΩ iken akan ID akımını hesaplayınız.
3
e) Bu durumda MOSFET hangi bölgede çalışmaktadır?
Soru 3:
+VDD=+5V
Şekil.3’teki devrede kullanılan NMOS
transistör kanal oluşturmalı türden olup,
parametreleri:
Yük
β=50µA/V2,
λ≈0’dır. Gövde etkisi ihmal edilecektir. VI
V0
Vı
VT=0.7V,
giriş gerilimi 0V ile VDD arasında değerler
almaktadır.
Şekil.3
a) Yük: RL=10kΩ değerinde direnç olduğu durumda VI=VDD iken V0’ın değeri nedir?
Transistör hangi çalışma bölgesinde bulunmaktadır?
4
b) Bu durumda NMOS transistör üzerinde harcanan gücü hesaplayınız.
c) VI=VDD iken V0’ın 0.5V olması için W/L ne oranda değiştirilmelidir?
5
d) Bu devrede yük olarak kullanılabilecek aktif yük yapılarına üç örnek veriniz.
Örneklere ilişkin devreleri çizerek gösteriniz.
Soru 4: Parametreleri aşağıda verilmiş olan bir MOS transistör Şekil. 4’te görüldüğü gibi
kutuplanmıştır. Besleme gerilimi V, V>2VT şartını sağladığına göre MOS transistörün savak
ucu V/2 gerilimde olduğuna göre, V’nin değerini bulunuz.
6
+V
VT=1V
µn=600 cm2/Vs
Cox=3,5.10-8 F/cm2
V/2
(W/L)= 2,
Şekil.4
7
I=300µA
Download

odev4